В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND
Аналитики компании Applied Materials, одного из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, прогнозируют освоение ведущими производителями флеш-памяти технологии «140+»-слойной 3D NAND в 2021 году. Под «140+» подразумевается пока ещё не утверждённое количество слоёв NAND флеш-памяти, которое, по-видимому, будет кратно 16 (144 или 160 слоёв) или 18 (144 или 162). Своё видение будущего памяти 3D NAND представители Applied Materials изложили в докладе, подготовленном к конференции IEEE International Memory Workshop (IMW), которая проходит в эти дни в г. Киото (Япония).
Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной. Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов.
Сегодня толщина кремниевых слоёв варьируется от 70 нм в 32–36-слойном кристалле 3D NAND до 55 нм в 96-слойном. Несмотря на меры, предпринимаемые для уменьшения толщины кристалла (die), его высота увеличится с 2,5–5,5 мкм у используемой сегодня памяти до примерно 8 мкм в «140+»-слойной.
Увеличение количества кремниевых слоёв в первую очередь связано с увеличением объёма микросхем. Актуальная технология производства 64-слойной флеш-памяти позволяет изготавливать 8-Тбит (1-Тбайт) чипы 3D NAND (например, как в серверных SSD Samsung PM1643) при плотности данных в 8 Гбит на один слой флеш-памяти и в 512 Гбит на один кристалл. Шестнадцать кристаллов 3D NAND формируют одну 1-Тбайт микросхему. В пятом поколении Samsung V-NAND с применением 96-слойных кристаллов памяти 3D QLC объём одного чипа вырастет вдвое — до 16 Тбит.
Каким будет максимальный объём чипов «140+»-слойной памяти через три года, пока можно только догадываться. Во-первых, на смену технологии QLC (quadruple-level cell) может прийти условная QiLC (quintuple-level cell) для записи пяти бит данных в одной ячейке памяти. Во-вторых, будет уменьшаться прослойка «тёмного кремния» между транзисторами, как и сами транзисторы.
Заметим, что принцип создания 3D-кристаллов, взятый на вооружение производителями чипов NAND флеш-памяти, вдохновил тайваньского полупроводникового гиганта TSMC на разработку 3D-упаковки GPU без кремниевого моста.
- Сервис помогающий искать и подбирать туры у разных туроператоров Украины
- Сетевой экшен Naraka: Bladepoint станет первой игрой на Unity с поддержкой NVIDIA DLSS
- Новая статья: Обзор ноутбука Lenovo ThinkPad X1 Fold (20RL-000FRT): первый лэптоп-трансформер с гибким экраном
- Clubhouse для Android и новый бизнес Huawei: итоги недели
- Как в Яндексе включить определитель номера
- 10:28 Сервис помогающий искать и подбирать туры у разных туроператоров Украины
- 4:38 Сетевой экшен Naraka: Bladepoint станет первой игрой на Unity с поддержкой NVIDIA DLSS
- 0:28 Новая статья: Обзор ноутбука Lenovo ThinkPad X1 Fold (20RL-000FRT): первый лэптоп-трансформер с гибким экраном
- 0:28 Clubhouse для Android и новый бизнес Huawei: итоги недели
- 0:28 Как в Яндексе включить определитель номера
- 20:28 Россия выйдет из проекта МКС и возродит собственную орбитальную станцию
- 20:28 В бете Telegram для Android появились магазины. Проверил лично
- 16:19 Цена биткоина упала в воскресенье на 12 %
- 12:18 Пользователи Chrome смогут делиться ссылками на определённые части текста веб-страниц
- 8:18 В Telegram скоро появятся магазины с продажей товаров в каналах и чатах
- 4:09 Первый полёт марсианского вертолёта Ingenuity запланирован на 19 апреля
- 4:09 Как отключить Яндекс Дзен на Андроиде
- 0:09 Facebook: Quest Pro не появится в 2021 году — Quest 2 останется надолго
- 23:59 Как найти канал в Телеграм, подписаться на него и убрать звук
- 3:59 Выбор кредита с длительным сроком погашения
- 1:16 Нюансы бурения скважин в Солнечногорске Московской области
