Samsung планирует начать массовое производство по 3-нм техпроцессу в 2021 году

13.01.2019 13:32

Samsung планирует начать массовое производство по 3-нм техпроцессу в 2021 году

Компания Samsung объявила о том, что она планирует начать массовое производство полупроводниковой продукции по трёхнанометровому технологическому процессу GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) уже в 2021 году.

Samsung и другие производители ведут разработку технологии GAAFET с начала 2000-х годов. Данная технология должна прийти на смену актуальной FinFET (Fin Field-Effect Transistor) и позволит преодолеть имеющиеся у последней ограничения в производительности и масштабируемости.

Samsung планирует начать массовое производство по 3-нм техпроцессу в 2021 году

Архитектура транзисторов GAAFET предполагает, что круглый нанопроводниковый канал, расположенный вертикально или горизонтально, будет со всех сторон окружён затвором. В свою очередь у транзисторов FinFET затвор окружает канал не полностью, а только с трёх сторон. Подход GAAFET снижает потери напряжения, увеличивая эффективность работы транзистора. А это позволяет снизить рабочее напряжение, а соответственно и энергопотребление.

Ещё в 2017 году компания Samsung заявляла о намерении начать производство продукции по 4-нм техпроцессу GAAFET уже в 2020 году. Тогда некоторые отраслевые аналитики, например, вице-президент Garner Сэмуэль Ванг (Samuel Wang), были настроены скептически и утверждали, что массовое производство с использованием GAAFET вряд ли начнётся раньше 2022 года. Однако теперь аналитики считают, что Samsung вполне может начать производство GAAFET-чипов раньше, чем ожидалось.

Samsung планирует начать массовое производство по 3-нм техпроцессу в 2021 году

В конце также отметим, что Samsung сейчас лидирует в развитии 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолете (EUV). Корейский производитель уже сейчас производит чипы по данной технологии, а к середине года планируется запуск массового производства. В свою очередь TSMC и Global Foundries ещё находятся на более ранних стадиях освоения EUV-литографии.

Источник