Стало известно о том, что на тайваньском заводе компании Micron, производственные мощности которого используются для создания памяти типа DRAM, произошёл сбой в подаче энергии. Об этом сообщил аналитик Wells Fargo Аарон Рейкерс (Aaron Rakers) со ссылкой на данные TrendForce. Несмотря на это, акции Micron выросли на 2 % на фоне более оптимистичного прогноза по выручке.
Инцидент на заводе Micron может привести к сокращению предложения в отрасли и росту спотовых цен (мгновенная стоимость чипов на рынке). Согласно имеющимся данным, сбой в подаче электроэнергии был «очень коротким», но компания ещё не успела оценить степень его воздействия. Аналитик отмечает, что даже «кратковременные перебои в работе завода могут привести к нарушению промышленных поставок».
Связанный с электропитанием сбой произошёл на заводе Fab 11 на Тайване, который используется для производства оперативной памяти DDR4 и LPDDR4 для компьютеров и серверов. Аналитик отмечает, что в прошлом подобные события приводили к положительной реакции на тенденции спотового ценообразования, что благоприятно влияет на индустрию DRAM.
Аналитик Mizuho Виджай Ракеш (Vijay Rakesh) считает, что «кратковременный» сбой питания на тайваньском заводе Micron может привести к усугублению дефицита памяти типа DRAM на рынке. По его мнению, «кратковременный» сбой в работе завода длился более часа, и производство могло постепенно вернуться в нормальное состояние. Хотя спотовые цены на память DRAM из-за этого инцидента могут вырасти, аналитик не меняет своего мнения, согласно которому стоимость акций Micron продолжит увеличиваться.