Micron Technology начала поставлять клиентам образцы памяти типа HBM

30.06.2020 17:30

Micron Technology начала поставлять клиентам образцы памяти типа HBM

В календаре Micron фискальный квартал завершился 28 мая, компания рассказала на отчётном мероприятии, какие технологические вехи преодолела в разгар пандемии. Образцы памяти класса HBM начали поступать к клиентам, производство оперативной памяти перешло на техпроцесс 1z нм, стартовали поставки 128-слойной NAND с замещающим затвором.

Источник изображения: Micron Technology

Долгое время Micron Technology со стороны наблюдала за выпуском памяти типа HBM корейскими конкурентами, но теперь и она перешла от разработки памяти данного класса к поставкам образцов клиентам. Подчёркивается, что HBM в исполнении Micron способна составить конкуренцию передовым продуктам, присутствующим на рынке, поэтому чисто технически наверняка уместно говорить о микросхемах типа HBM2 или даже HBM2e. Имена клиентов, получающих образцы этой памяти, Micron не называет, но подчёркивает, что с её помощью будут создаваться решения для систем искусственного интеллекта.

В сфере производства оперативной памяти Micron удалось технологически продвинуться до литографии ступени 1z нм. Фактически, это соответствует примерно 13-нм техпроцессу изготовления, и он является самым продвинутым в сегменте DRAM. Пока клиенты получают только образцы соответствующих микросхем, но Micron говорит о переводе на техпроцессы 1z и 1y нм до половины всего объёма выпускаемой DRAM. В следующем фискальном году, который наступит у Micron этой календарной осенью, компания рассчитывает начать выпуск памяти по техпроцессу 1α нм. Уже начались поставки микросхем DDR5, изготавливаемых по технологии 1z нм.

Micron Technology начала поставлять клиентам образцы памяти типа HBM

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем квартале было налажено массовое производство 128-слойной памяти NAND с замещающим затвором, о которой компания рассказывала ещё в сентябре прошлого года. Клиенты уже получают соответствующие микросхемы. Отмечается хороший прогресс в сфере освоения выпуска памяти NAND с замещающим затвором второго поколения, которая в будущем займёт заметную часть ассортимента продукции Micron. Подобная память первого поколения к концу текущего календарного года тоже существенно увеличит свою долю в производственной программе компании.

Память 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC) теперь занимает более 10 % всего объёма выпускаемой твердотельной памяти Micron. Это способствует снижению производственных затрат, но в компании отдаёт себе отчёт в том, что память типа TLC ещё долго будет доминировать на рынке. Накопители на базе памяти типа QLC уже поставляются на потребительский рынок. В серверном сегменте они планомерно вытесняют жёсткие диски со скоростью вращения шпинделя 10 000 об/мин.

Накопители Micron с интерфейсом NVMe расширяют свой ассортимент, они уже предлагаются в потребительском секторе. В мае были представлены твердотельные накопители потребительского класса на базе памяти TLC и QLC соответственно. Оба типа накопителей используют 96-слойную память 3D NAND.

Источник